簡要描述:P+F電感式接近開關分類齊全NBB1.5-8GM50-E2其中K為霍爾系數(shù),I為薄片中通過的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應強度,d是薄片的厚度。
P+F電感式接近開關分類齊全NBB1.5-8GM50-E2
產品概述:
當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,
薄片的兩端就會產生電位差,這種現(xiàn)象就稱為霍爾效應。
兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U,其表達式為
U=K·I·B/d
由此可見,霍爾效應的靈敏度低與外加磁場的磁感應強度成正比的關系。
霍爾開關就屬于這種有源磁電轉換器件,
它是在霍爾效應原理的基礎上,
利用集成封裝和組裝工藝制作而成,
它可方便的把磁輸入信號轉換成實際應用中的電信號,
同時又具備工業(yè)場合實際應用易操作和可靠性的要求。
工作原理:
電感式接近開關由三大部分組成:
振蕩器、開關電路及放大輸出電路。
振蕩器產生一個交變磁場。
當金屬目標接近這一磁場,
并達到感應距離時,
在金屬目標內產生渦流,
從而導致振蕩衰減,以至停振。
振蕩器振蕩及停振的變化被后級放大電路處理并轉換成開關信號,
觸發(fā)驅動控制器件,從而達到非接觸式之檢測目的
熱門型號:
NBN4-12GM50-E2
NBN4-12GM50-E0
NBN4-12GM40-Z0
NJ4-12GM40-E2
NBB4-12GM50-E2
NBB4-12GM50-E0
NBB5-18GM50-E2
NBB5-18GM50-E0
NBB5-18GM60-A2
NBB5-18GM60-Z0
P+F電感式接近開關分類齊全NBB1.5-8GM50-E2